RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
33
Около -32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.9
17.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.0
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
25
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
17.9
Скорость записи, Гб/сек
12.0
16.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
3651
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link