RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.6
16.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
33
Около -43% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.4
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
23
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
16.6
Скорость записи, Гб/сек
12.0
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
2659
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link