RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
38
Около 13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.6
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
10.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
38
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
13.3
Скорость записи, Гб/сек
12.0
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
2277
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5773EB0-CK0 2GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link