RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
33
Около -38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.8
17.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
24
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
18.8
Скорость записи, Гб/сек
12.0
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
3690
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Corsair CMX16GX3M2A1333C9 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Kingston ASU16D3LS1KBG/4G 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link