RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
33
Около -32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.3
17.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.3
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
25
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
18.3
Скорость записи, Гб/сек
12.0
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
3849
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology C 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link