RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.6
17.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
33
Около -22% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.6
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
27
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
17.3
Скорость записи, Гб/сек
12.0
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
3460
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link