RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.6
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
9.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
33
Около -14% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
29
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
13.6
Скорость записи, Гб/сек
12.0
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
2419
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link