RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
33
Около -65% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19
17.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.1
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
20
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
19.0
Скорость записи, Гб/сек
12.0
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
3410
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link