RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.6
16.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
33
Около -38% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
24
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
16.2
Скорость записи, Гб/сек
12.0
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
2462
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link