Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Средняя оценка

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

33 37

Около 11% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.6 14.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.0 10.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 17000

Около 1.51% выше полоса пропускания

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB

Причины выбрать
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB

Сообщить об ошибке

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

33 37
Скорость чтения, Гб/сек

17.6 14.7
Скорость записи, Гб/сек

12.0 10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

25600 17000

Other

Описание

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2910 2592

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB

модули RAM

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB

модули RAM

Kingston 9965516-430.A00G 16GB

Kingston 9965516-430.A00G 16GB

A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB

A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB

модули RAM

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB

модули RAM

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB

Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB

Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB

Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB

модули RAM

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB

Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB

Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB

A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB

Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB

Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB

Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB

Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB

модули RAM

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB

Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB

модули RAM