RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.6
10.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
33
Около -3% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
32
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
10.5
Скорость записи, Гб/сек
12.0
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
2386
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link