RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
33
Около -65% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.7
17.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.5
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
20
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
19.7
Скорость записи, Гб/сек
12.0
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
3404
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
INTENSO 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link