RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.6
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
8.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
33
Около -50% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
22
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
16.1
Скорость записи, Гб/сек
12.0
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
2633
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link