RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.6
13.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
10.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
33
Около -6% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
31
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
13.5
Скорость записи, Гб/сек
12.0
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
2330
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link