RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.6
16.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
33
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.8
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
22
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
16.8
Скорость записи, Гб/сек
12.0
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
3296
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link