RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Сравнить
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB против A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
36
Около 36% меньшая задержка
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.5
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
36
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
15.5
Скорость записи, Гб/сек
8.0
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2269
2938
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link