RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Сравнить
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB против Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
27
Около 15% меньшая задержка
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.1
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
27
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
19.1
Скорость записи, Гб/сек
8.0
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2269
3784
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB
Samsung M471B1G73BH0-CK0 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link