RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Сравнить
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB против Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
26
Около 12% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.1
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.6
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
26
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
15.1
Скорость записи, Гб/сек
8.0
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2269
2579
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link