RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Сравнить
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB против Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около 4% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
24
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
17.0
Скорость записи, Гб/сек
8.0
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2269
3230
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link