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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
24
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
24
读取速度,GB/s
13.4
17.0
写入速度,GB/s
8.0
13.7
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
3230
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
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