Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB против G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB

G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Причины выбрать
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

20 23

Около -15% меньшая задержка
Выше скорость чтения

19.6 13.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

15.5 8.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

23 20
Скорость чтения, Гб/сек

13.4 19.6
Скорость записи, Гб/сек

8.0 15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2269 3234

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB

Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB

модули RAM

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB

Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Kingston 9905700-024.A00G 8GB

Kingston 9905700-024.A00G 8GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB

модули RAM

Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB

Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB

ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB

Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB

модули RAM

Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB

Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB

Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB

Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB

модули RAM

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB

Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB

Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB

SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB

модули RAM