RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
51
Около -89% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
27
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
17.4
Скорость записи, Гб/сек
11.8
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
25600
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3692
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link