RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Сравнить
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
32
Около 28% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.4
11.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.0
7.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
11.3
Скорость записи, Гб/сек
8.0
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2269
2292
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link