RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Kingston 9905665-017.A00G 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
73
74
Около 1% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
15.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
6.7
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
74
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
15.3
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
6.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
1583
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Kllisre D4 8G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link