RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB против InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Средняя оценка
star star star star star
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB

InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Причины выбрать
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    23 left arrow 32
    Около 28% меньшая задержка
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    18.3 left arrow 13.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    14.9 left arrow 8.0
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 10600
    Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    23 left arrow 32
  • Скорость чтения, Гб/сек
    13.4 left arrow 18.3
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.0 left arrow 14.9
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2269 left arrow 3149

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Сравнения RAM

Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB

InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB Сравнения RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
модули RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
модули RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
модули RAM
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
модули RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
модули RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
модули RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Team Group Inc. 16GB
Team Group Inc. 16GB
модули RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
модули RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
модули RAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
модули RAM
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
модули RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
модули RAM