RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Сравнить
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB против Kingston 9905713-017.A00G 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
30
Около 23% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.2
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
30
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
16.2
Скорость записи, Гб/сек
8.0
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2269
3025
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link