RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Сравнить
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB против Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
45
Около 49% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.4
11.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
10600
1900
Около 5.58% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.4
8.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
45
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
11.7
Скорость записи, Гб/сек
8.0
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
1900
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
no data
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2269
2387
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB Сравнения RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link