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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Gesamtnote
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
45
Rund um 49% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
10600
1900
Rund um 5.58% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
23
45
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
11.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
8.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
1900
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
no data
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2269
2387
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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