RAM-Vergleich Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Gesamtnote

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

23 45

Rund um 49% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

13.4 11.7

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

10600 1900

Rund um 5.58% höhere Bandbreite

Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

8.4 8.0

Durchschnittswert bei den Tests

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit

7-7-7-20 / 1333 MHz no data
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2269 2387

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns