RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Сравнить
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB против Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
29
Около 21% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.8
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
29
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
15.8
Скорость записи, Гб/сек
8.0
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2269
2711
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Korea Uhbele International Group Ltd. DDS3 1600K 4GB LV
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link