RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Сравнить
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB против Panram International Corporation M424051 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Panram International Corporation M424051 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
97
Около 76% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.4
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.0
5.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation M424051 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
97
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
11.2
Скорость записи, Гб/сек
8.0
5.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2269
1270
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Panram International Corporation M424051 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link