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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Comparez
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Panram International Corporation M424051 4GB
Note globale
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Note globale
Panram International Corporation M424051 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
97
Autour de 76% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.4
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.0
5.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Panram International Corporation M424051 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
23
97
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
11.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
5.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2269
1270
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1600C11 4GB
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