RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Сравнить
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB против Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
26
Около 12% меньшая задержка
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.6
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
26
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
19.0
Скорость записи, Гб/сек
8.0
16.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2269
3818
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link