RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Сравнить
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB против SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
101
Около 77% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.0
7.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.2
13.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
101
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
14.2
Скорость записи, Гб/сек
8.0
7.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2269
1313
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link