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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
101
左右 77% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.0
7.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.2
13.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
101
读取速度,GB/s
13.4
14.2
写入速度,GB/s
8.0
7.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
1313
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Corsair CM2X1024-6400 1GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
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