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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
比较
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
总分
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
38
左右 -81% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
7.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
3.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
21
读取速度,GB/s
7.2
18.0
写入速度,GB/s
3.0
13.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
915
3034
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
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