RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Porównaj
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
38
Wokół strony -81% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
7.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
3.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
21
Prędkość odczytu, GB/s
7.2
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
3.0
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
915
3034
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link