RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Сравнить
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB против Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
45
Около 49% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.4
5.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.4
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
45
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
5.3
Скорость записи, Гб/сек
8.0
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2269
1535
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link