RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Gesamtnote
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gesamtnote
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
45
Rund um 49% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
5.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
23
45
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
5.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
8.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2269
1535
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM-Vergleiche
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link