RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Сравнить
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB против A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
37
Около -61% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.5
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.8
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
23
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
18.5
Скорость записи, Гб/сек
8.4
17.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3905
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YH9 8GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link