RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Сравнить
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB против ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
21.4
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
37
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
21.4
Скорость записи, Гб/сек
8.4
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3448
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99P5458-011.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link