RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Сравнить
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
37
Около -95% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.9
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
19
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
16.4
Скорость записи, Гб/сек
8.4
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3521
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link