RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Сравнить
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB против Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
37
Около -48% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.3
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
25
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
14.3
Скорость записи, Гб/сек
8.4
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2870
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link