RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Сравнить
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB против Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
37
Около -16% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.4
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
17.2
Скорость записи, Гб/сек
8.4
14.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3189
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link