RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Сравнить
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
37
Около -23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.1
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
30
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
17.1
Скорость записи, Гб/сек
8.4
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3292
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link