Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB против Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Причины выбрать
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Сообщить об ошибке

Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

29 37

Около -28% меньшая задержка
Выше скорость чтения

14.8 13.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

37 29
Скорость чтения, Гб/сек

13.2 14.8
Скорость записи, Гб/сек

8.4 8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2143 2458

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB

G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB

модули RAM

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB

Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB

модули RAM

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB

Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Kingston 9965589-026.D00G 8GB

Kingston 9965589-026.D00G 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB

Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB

Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB

модули RAM

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB

Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB

модули RAM

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB

Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB

Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB

модули RAM

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB

модули RAM