RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Сравнить
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB против G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
37
Около -85% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.1
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.7
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
20
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
20.1
Скорость записи, Гб/сек
8.4
15.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3726
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link