RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Сравнить
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB против Kingston 9905678-029.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.2
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.4
6.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
37
Около -48% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
25
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
12.6
Скорость записи, Гб/сек
8.4
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2068
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link