RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Сравнить
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB против Maxsun MSD44G24Q3 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.2
10.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
37
Около -16% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.7
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
10.5
Скорость записи, Гб/сек
8.4
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2214
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link