RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Сравнить
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB против Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
37
Около -42% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.4
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
26
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
17.2
Скорость записи, Гб/сек
8.4
15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
3617
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link