RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Сравнить
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB против Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
37
Около -48% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.4
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
25
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
15.4
Скорость записи, Гб/сек
8.4
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
1870
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link